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引言

【資料圖】

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日本在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程中曾創(chuàng)造了“輝煌”的歷史。20世紀(jì)80年代，日本在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的份額約為50%，一度超過了美國。但隨后日本的產(chǎn)業(yè)影響力逐年下降，近年來更是被中國、韓國等趕超，全球市場份額已大幅下滑。日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展究竟經(jīng)歷了什么？在哪些細(xì)分領(lǐng)域還擁有較大優(yōu)勢？

01

日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)影響力簡析

日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)版圖中的重要一環(huán)，擁有一大批知名的半導(dǎo)體企業(yè)。從引進(jìn)美國技術(shù)到自主創(chuàng)新，日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速崛起，并在20世紀(jì)80年代超越美國占據(jù)“頭把交椅”。雖然后面受美國打壓，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)影響力持續(xù)下滑，但在半導(dǎo)體材料、設(shè)備、功率半導(dǎo)體等領(lǐng)域依然擁有強大競爭力，并積累形成了大一批知名企業(yè)，主要分布在東京和九州硅島。例如，東京電子、迪恩士（SCREEN）、羅姆、尼康、鎧俠、瑞薩、東芝、日亞化學(xué)、大日本印刷、凸版印刷、大陽日酸、關(guān)東電化、日立化成、富士美、東京應(yīng)化、JSR、信越化學(xué)等代表性企業(yè)，在細(xì)分領(lǐng)域都擁有很強的競爭力。

表1：日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主要分布區(qū)域及重點企業(yè)

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來源：火石創(chuàng)造根據(jù)公開資料整理

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)曾經(jīng)風(fēng)光無限，但現(xiàn)在已逐漸演變?yōu)檎蔚谰摺?019年，日本限制向韓國出口氟化聚酰亞胺、光刻膠和高純氟化氫3種半導(dǎo)體工藝材料，而韓國在氟化聚酰亞胺、光刻膠、高純度氟化氫三種材料上對日本依賴度分別高達(dá)93.7%、91.9%、43.9%，一度打亂韓國半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)程，直到2023年雙方才達(dá)成和解。2023年3月，日本稱從7月開始將把6類23種高端半導(dǎo)體制造設(shè)備（14nm-10nm制程以下）加入到對華出口管制對象，涉及芯片清潔、沉積、光刻、蝕刻等環(huán)節(jié)。在地緣政治摩擦之下以及受美國的鉗制影響下，日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)想要重新崛起，難度或?qū)⑹志薮蟆?/p>

02

日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程

日本政府集中資源十分重視研發(fā)，支持大規(guī)模投資生產(chǎn)并參與全球競爭。日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展大致有以下幾個階段：

1、以引進(jìn)美國技術(shù)為主的起步階段（1950-1970年）：主要從美國引進(jìn)半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)。1953年，東京通信工程株式會社以2.5萬美元的白菜價從美國西屋電氣引進(jìn)了世界最先進(jìn)的晶體管技術(shù)。借助這項技術(shù)，會社在1955年生產(chǎn)了世界上第一款袖珍收音機(jī)并正式改名“索尼”。1957年，日本政府頒布《電子工業(yè)振興臨時措施法》，通過立法扶持電子產(chǎn)業(yè)，支持日本企業(yè)學(xué)習(xí)美國先進(jìn)技術(shù)來發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。1962年，日本NEC從美國仙童半導(dǎo)體購買了平面光刻的生產(chǎn)工藝，擁有了集成電路的制造能力，同期日立、東芝和美國的RCA、通用電氣等達(dá)成了技術(shù)轉(zhuǎn)讓協(xié)議。1963年，日本政府要求NEC將獲得的半導(dǎo)體技術(shù)與其他企業(yè)分享，由此三菱等企業(yè)也開始進(jìn)入半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。1968年，索尼和德州儀器成立合資公司。日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)就此形成。

2、以自主研發(fā)為主的厚積薄發(fā)階段（1970-1985年）：“官產(chǎn)學(xué)”一體的科研體系促進(jìn)自主研發(fā)和國產(chǎn)化。在代工與技術(shù)引進(jìn)的基礎(chǔ)上，日本在20世紀(jì)70年代開始使用“官產(chǎn)學(xué)”三位一體的科研體系。典型的有VLSI計劃（超大規(guī)模集成電路研究計劃），該計劃由日本通產(chǎn)省牽頭，以日立、三菱、富士通、東芝、日本電氣五大公司為骨干，投資700多億日元。通過舉國體制集中人才等各類優(yōu)勢發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，極大地促進(jìn)各企業(yè)間的交流，日本的半導(dǎo)體水平逐漸趕上美國，在特定的一些領(lǐng)域則超過美國。1982年，日本成為全球最大的DRAM生產(chǎn)國。1985年，日本第一次在市占率上超越美國，成為全球最大半導(dǎo)體生產(chǎn)國。同期，日本快速推進(jìn)半導(dǎo)體相配套的設(shè)備、材料的國產(chǎn)化。20世紀(jì)80年代，日本在半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈都擁有很強的話語權(quán)。

3、受美國打壓為主的衰落階段（1985-2000年）：美國打壓、脫離全球產(chǎn)業(yè)鏈等導(dǎo)致產(chǎn)業(yè)衰落。日制DRAM在質(zhì)量、價格和交貨時間方面均獲得很高評價，使得80年代日制DRAM在全球市場中所占份額不斷上升，1982年超越美國，1987年達(dá)到頂峰約80%。多年以來日本企業(yè)一直都在快速擴(kuò)張市場，卻忽略了大部分技術(shù)都是從美國學(xué)來的。1985年美國針對日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)起301調(diào)查，先后于1986年、1991年簽訂達(dá)成第一次、第二次半導(dǎo)體協(xié)議，使得日本半導(dǎo)體廠商的價格優(yōu)勢喪失，份額逐漸受到韓國及中國臺灣新興廠商的侵蝕。此外，日本采取了與國際標(biāo)準(zhǔn)不同的產(chǎn)品設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)，變向保護(hù)了本國市場，卻脫離了全球產(chǎn)業(yè)鏈。

4、產(chǎn)業(yè)整體衰落伴隨實力分化為主的階段（2000年至今）：政府大力投入但無法挽救衰落，逐漸往產(chǎn)業(yè)鏈上游實力分化。2000年后，日本政府對科學(xué)技術(shù)發(fā)展進(jìn)行高額預(yù)算資金投入但依舊無法挽救日益走向衰落的產(chǎn)業(yè)。日本很注重基礎(chǔ)研究，但始終無法獲得成功，主要原因就在于無法將技術(shù)變?yōu)楫a(chǎn)品，將產(chǎn)品塑造成模式。傳統(tǒng)經(jīng)營理念根深蒂固、業(yè)務(wù)分離不徹底等限制了企業(yè)的轉(zhuǎn)型發(fā)展。2002年，NEC將半導(dǎo)體業(yè)務(wù)獨立出來成為子公司。2003年，日立和三菱的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)部門合并，成立瑞薩科技。在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)成為獨立部門之初，企業(yè)都計劃將其轉(zhuǎn)型為水平分工模式，即工廠單獨分離成代工企業(yè)，但都沒有很好的執(zhí)行下去，限制了企業(yè)的轉(zhuǎn)型發(fā)展。目前日本廠商主要針對NAND Flash、CIS（CMOS圖像傳感器）、汽車電子、功率分立器件等細(xì)分品類，在高端數(shù)字電路方面涉足不多。但值得注意的是，日本的技術(shù)實力依舊十分強大，許多人將這段時間稱為“失去的二十年”，實際上日本已經(jīng)悄無聲息的完成了從產(chǎn)品到產(chǎn)業(yè)鏈上游的轉(zhuǎn)型。得益于良好的工業(yè)基礎(chǔ)和持續(xù)的技術(shù)積累，日本在材料和設(shè)備領(lǐng)域具有較強優(yōu)勢，仍在全球市場占據(jù)非常重要的地位。

圖1：日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程

來源：火石創(chuàng)造根據(jù)公開資料整理

03

日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展特征

1、集中研發(fā)高投入，從國外引進(jìn)技術(shù)到產(chǎn)官學(xué)自主研發(fā)。舉國體制是日本實現(xiàn)電子行業(yè)追趕的有效模式，快速推進(jìn)了新技術(shù)和新產(chǎn)品的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。

2、參與市場化競爭，成本質(zhì)量優(yōu)勢取勝。日本非常注重質(zhì)量管理體系和產(chǎn)品質(zhì)量，又在美國市場拓展上采用“價格永遠(yuǎn)低10%”策略的價格戰(zhàn)，很快擴(kuò)大了全球市場份額。

3、政府出臺優(yōu)惠政策，大力扶持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。從起步階段密集的產(chǎn)業(yè)政策扶持，到2022年《半導(dǎo)體援助法》，再到2023年3月公布的“半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)緊急強化方案”，政府政策扶持伴隨著產(chǎn)業(yè)發(fā)展的整個歷程。

4、貿(mào)易戰(zhàn)下妥協(xié)簽訂半導(dǎo)體協(xié)議，導(dǎo)致發(fā)展環(huán)境惡劣。美國曾經(jīng)兩次逼迫日本簽訂半導(dǎo)體協(xié)議，雖然第三次逼迫簽訂半導(dǎo)體協(xié)議失敗，遭到打擊的日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速衰落。

5、脫離全球產(chǎn)業(yè)鏈，保護(hù)本國市場但失去了全球市場。在國際分工合作的趨勢下，日本采取了與國際標(biāo)準(zhǔn)不同的產(chǎn)品設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)，變向保護(hù)了本國市場，卻脫離了全球產(chǎn)業(yè)鏈，無法參與到國際合作中。例如，日本在2G技術(shù)中沒有采用通用的GSM標(biāo)準(zhǔn)而是采用獨特PDC標(biāo)準(zhǔn)，國外手機(jī)廠商無法進(jìn)入日本，日本的手機(jī)廠商也很難打開海外市場，后面重新放開也依舊錯失產(chǎn)業(yè)發(fā)展時機(jī)。

—END— 作者 | 火石創(chuàng)造 李葉平審核 | 火石創(chuàng)造 廖義桃殷莉如需轉(zhuǎn)載，請郵件

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